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關于氮化鎵（GaN）是否存在體二極管的問題，其答案根植于它與傳統(tǒng)硅基功率器件（如MOSFET）在基本結構上的差異。標準的氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）由于其橫向結構中不存在PN結，因此它沒有傳統(tǒng)硅MOSFET所固有的寄生體二極管。 這一結構上的根本不同，是氮化鎵器件眾多優(yōu)勢性能的來源之一。

盡管沒有體二極管，氮化鎵晶體管依然具備反向導通的能力。 當需要反向續(xù)流時，電流并非通過一個固有的二極管，而是通過溝道的自換相（self-commutation）來實現(xiàn)。 簡單來說，器件會在特定的電壓條件下于第三象限開啟，表現(xiàn)出類似二極管的特性來傳導電流。 這種獨特的反向導通機制，雖然壓降可能略高于硅MOSFET的體二極管，但它帶來了一個革命性的好處。

氮化鎵器件最顯著的優(yōu)勢之一便是消除了體二極管的反向恢復損耗（Qrr）。 在傳統(tǒng)的硅MOSFET中，體二極管在關斷時需要時間來清除少數(shù)載流子，這個過程會產(chǎn)生顯著的開關損耗，從而限制了工作頻率的提升。由于氮化鎵沒有體二極管，也就不存在反向恢復問題，這極大地降低了開關損耗，使其能夠勝任更高頻率的應用，并催生了如無橋圖騰柱PFC等新型高效電路拓撲。